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变压蒸馏破共沸回收氯化氢气体基本原理
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变压蒸馏破共沸回收氯化氢气体基本原理
作者:山东言赫小编 发布时间:2015-07-20 10:26:59
稀盐酸回收氯化氢气体的工业化方法众所周知,氯化氢气体与 H2O 形成的稀盐酸存在有高沸点恒沸物(即其沸点高于单纯的 H2O 和 氯化氢气体),其恒沸点和恒沸组成随压力而变化。所以,要处理稀盐酸使氯化氢气体与H2O 分开,用简单的蒸馏或汽提方法是不行的。
目前,已工业化的方法有以下几种。 浓硫酸萃取精馏回收氯化氢该工艺的基本原理是利用硫酸与水完全互溶且较浓的硫酸沸点高于恒沸盐酸的沸点,使稀盐酸中的水转移到浓硫酸中形成相对较稀的硫酸,从而把氯化氢汽提出来,较稀的硫酸经蒸发脱水,浓缩为浓硫酸循环使用,蒸发出的水冷凝以后即为酸性废水。 CaCl2 水溶液萃取破共沸回收氯化氢气体即在稀盐酸中加入氯化钙打破其共沸点的限制,把氯化氢分离出来。与第一种方法相比,设备材质选择有些差异(不必考虑硫酸腐蚀),废水中只含微量盐酸,不含硫酸。 变压蒸馏破共沸回收氯化氢气体基本原理是利用恒沸盐酸组成随压力而变化,相对于H2O 和氯化氢气体,恒沸盐酸始终是高沸点组分的特点,从而达到使H2O 和氯化氢气体分离的目的。
对于氯化氢气体的脱水干燥过程,对于整个氯化氢气体生产过程都尤为重要。这不仅可以延长整套氯化氢气体生产设备的使用寿命,也是整个生产过程中的安全保证。
化学级氯化氢产品生产装置于1993年投产,经山东省科委鉴定,主要用于医药中间体、农药及精细化学品制造业。电子级(VLSI)氯化氢产品生产装置于2003年投产,经北京市科委鉴定,主要用于半导体器件生产中单晶硅片的气相抛光、外延基座腐蚀及硬质合金制造。5.0N电子级(VLSI)氯化氢产品分别经国家标准物质研究中心和信息产业部专用材料质量监督检验中心抽样检验,纯度大于99.999%,总杂质含量小于5ppm,产品性能指标与国 际品牌相当。5.0N电子级(VLSI)氯化氢产品经国内外多家半导体重点企业连续大量在单晶硅片气相抛光和外延基座腐蚀工艺中广泛使用,制得的器件产品质量与国际知名品牌相当。超纯氯化氢产品生产装置于2005年投产,目前处于试销阶段,主要用作标准物质和科学研究。
目前,已工业化的方法有以下几种。 浓硫酸萃取精馏回收氯化氢该工艺的基本原理是利用硫酸与水完全互溶且较浓的硫酸沸点高于恒沸盐酸的沸点,使稀盐酸中的水转移到浓硫酸中形成相对较稀的硫酸,从而把氯化氢汽提出来,较稀的硫酸经蒸发脱水,浓缩为浓硫酸循环使用,蒸发出的水冷凝以后即为酸性废水。 CaCl2 水溶液萃取破共沸回收氯化氢气体即在稀盐酸中加入氯化钙打破其共沸点的限制,把氯化氢分离出来。与第一种方法相比,设备材质选择有些差异(不必考虑硫酸腐蚀),废水中只含微量盐酸,不含硫酸。 变压蒸馏破共沸回收氯化氢气体基本原理是利用恒沸盐酸组成随压力而变化,相对于H2O 和氯化氢气体,恒沸盐酸始终是高沸点组分的特点,从而达到使H2O 和氯化氢气体分离的目的。
对于氯化氢气体的脱水干燥过程,对于整个氯化氢气体生产过程都尤为重要。这不仅可以延长整套氯化氢气体生产设备的使用寿命,也是整个生产过程中的安全保证。
化学级氯化氢产品生产装置于1993年投产,经山东省科委鉴定,主要用于医药中间体、农药及精细化学品制造业。电子级(VLSI)氯化氢产品生产装置于2003年投产,经北京市科委鉴定,主要用于半导体器件生产中单晶硅片的气相抛光、外延基座腐蚀及硬质合金制造。5.0N电子级(VLSI)氯化氢产品分别经国家标准物质研究中心和信息产业部专用材料质量监督检验中心抽样检验,纯度大于99.999%,总杂质含量小于5ppm,产品性能指标与国 际品牌相当。5.0N电子级(VLSI)氯化氢产品经国内外多家半导体重点企业连续大量在单晶硅片气相抛光和外延基座腐蚀工艺中广泛使用,制得的器件产品质量与国际知名品牌相当。超纯氯化氢产品生产装置于2005年投产,目前处于试销阶段,主要用作标准物质和科学研究。